CS-1 晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀產(chǎn)品介紹
"Crystalline Tester CS1"是非破壞性、非接觸式檢測(cè)可見光(波長(zhǎng)400~800nm)透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測(cè)設(shè)備。通過本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。

產(chǎn)品特征
| 產(chǎn)品特長(zhǎng) | 高速測(cè)量(6" 襯底 90秒)?可以最快速度簡(jiǎn)捷方式觀察殘留應(yīng)力分布。
 
縱向結(jié)晶評(píng)價(jià)?因?yàn)槭峭敢曅徒Y(jié)晶評(píng)價(jià)裝置,所以不只可以觀察襯底表面,還可以觀察包括Z軸方向的晶圓所有部位。
可取得與X-Ray Topography imaging comparison同等測(cè)試效果?可以取得同等測(cè)試效果,實(shí)現(xiàn)高速低成本。
 
價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力?在晶片測(cè)量裝置中,屬于性價(jià)比好的一款系統(tǒng)。
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| 可測(cè)量材料 | SiC單晶襯底、及SiC外延襯底GaN單晶襯底、及GaN外延襯底AlN單晶襯底、及AlN外延襯底可視光可透視、有雙折射效果的結(jié)晶均可。
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| 測(cè)試效果不佳材料 | ?無可視光透視性材料:Si、GaAs等?無雙折射效果材料:藍(lán)寶石、Ga2O3 等
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